SK하이닉스, AI 메모리 전략 '풀 스택'으로 전환…HBM 넘어 3D·HBF까지

AI 요약

SK하이닉스는 8일 이천캠퍼스에서 열린 2026 SK하이닉스 미래포럼에서 AI 시대 메모리 사업 방향을 HBM 중심의 제품 경쟁에서 시스템 차원의 풀 스택 AI 메모리로 확장하고 메모리 디바이스 공급을 넘어 AI 시스템을 이해하고 함께 설계하는 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로 전환하겠다고 밝혔습니다. 회사는 AI 에이전트와 멀티 에이전트 확산으로 메모리 용량과 대역폭, 데이터 저장·접근 특성이 다양해짐에 따라 HBM·D램·CXL·SSD 등을 워크로드에 맞게 조합하는 메모리 계층화와 3D Stacked DRAM, HBF(High Bandwidth Flash) 등 다양한 메모리의 조합 및 AI 서비스·소프트웨어·가속기 업체와의 시스템 차원 공동 설계를 제시했습니다. 또한 3D 기술을 차세대 메모리 경쟁의 핵심으로 제시하며 소자 집적과 이종 집적 개발, 데이터 버스 대역폭 확대와 전송 거리 최소화, 발열·공정 난도 해결을 위한 패키지·설계의 공동 최적화가 필요하다고 설명했습니다.