AI 칩 ‘받침판’ 40배 커진다… 삼성전자, HBM4E 발열 문제 해결에 고심 - 조선비즈

AI 요약

대형화되는 인터포저로 집적도와 성능에 따른 발열 문제가 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 핵심 과제로 떠올랐으며 현재 AI 반도체용 인터포저 크기는 극자외선(EUV) 노광 장비 최대 면적(858㎟)의 5.5배 수준이고 향후 9배·12배·40배까지 확대될 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 내년부터 본격 양산할 7세대 HBM(HBM4E)을 AI 메모리 시장의 변곡점으로 보고 발열 해결을 위해 지난 5월 업계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 출하하는 등 기술 안정화에 총력을 기울이고 있으며 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리 공정이 적용되는 것으로 알려졌습니다. SK하이닉스도 올 6월 HBM4E 12단 샘플을 공급했으며 업계는 저전력 설계와 하이브리드 구리 본딩(HCB), 히트패스블록(HPB) 등 발열 대응 기술과 패키지·시스템 단위 냉각 기술을 검토하고 핵심 장비사 및 후공정 기업들과 협력을 확대하고 있습니다.