도시바, 차세대 AI 데이터센터 효율성 높이는 1200V 트렌치 게이트 SiC MOSFET 테스트 샘플 출하

AI 요약

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(이하, 도시바)는 차세대 인공지능 데이터센터(AIDC) 전원 공급 및 재생에너지 장비용 1200V 트렌치 게이트 SiC MOSFET 'TW007D120E'의 테스트 샘플 출하에 돌입했다고 22일 밝혔습니다. TW007D120E는 도시바의 트렌치 게이트 구조로 단위 면적당 낮은 온-저항(RDS(on) A)을 구현해 기존 제품 대비 RDS(on) A를 약 58% 줄였고 RDS(on)×Qgd를 약 52% 개선해 전도 손실과 스위칭 손실을 저감함으로써 데이터센터 전원 공급 시스템의 고효율 작동과 발열 감소에 기여합니다. 상부 냉각을 지원하는 QDPAK 패키지를 채용했으며 도시바는 2026회계연도 중 양산에 돌입하고 자동차 애플리케이션용 개발을 포함해 라인업을 확충할 예정이며 트렌치 게이트 SiC MOSFET을 통해 전력 효율 개선과 CO₂ 배출량 감축에 기여하며 탈탄소 사회 구현에 앞장설 것이라고 밝혔습니다.