ST마이크로, AI 서버에서 로보틱스까지...고전력 애플리케이션 에너지 효율 개선하는 GaN 반도체 출시

AI 요약

세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 26일(현지시간) 전동화 애플리케이션을 지원하는 고전력 시스템의 효율을 개선하고 전력 밀도를 높이는 새로운 GaN 기반 700V PowerGaN 전력 반도체를 출시했습니다. 이 디바이스는 700V 동작 정격으로 안정적인 고전력 동작과 고주파 토폴로지 구현이 가능하며, 낮은 전도 손실·매우 낮은 스위칭 손실·제로 역회복 전하 등의 특성으로 시스템 크기와 무게를 줄이고 동작 온도를 낮출 수 있습니다. 새로 추가된 7종의 GaN 인핸스먼트 모드 트랜지스터(HEMT)는 6A~29A 연속 전류 정격과 일반적으로 53mΩ~270mΩ의 RDS(on)을 제공하고 초저 내부 커패시턴스와 낮은 게이트 전하로 FoM에서 실리콘 대비 우수하며 DPAK, TO-LL, PowerFLAT 패키지로 제공되고 TO-LL 및 PowerFLAT 기반 디바이스는 켈빈 소스 연결 방식을 적용합니다.