인텔, 19마이크로미터 초박형 GaN'으로 AI 전력 병목 뚫는다…삼성·TSMC에 패키징에 도전

AI 요약

인텔은 두께가 19마이크로미터(㎛)에 불과한 세계 최박형 질화갈륨(GaN) 전력 칩렛 기술을 공개하며 GaN‑on‑Silicon 전력 소자와 실리콘 CMOS를 단일 칩에 통합해 3D 패키징에서 칩 사이에 전력 소자를 삽입해 부하 지점(Point-of-load) 전달로 전력 손실을 줄일 수 있다고 발표했습니다. 이 솔루션은 전력 변환 과정에서 버려지는 에너지를 회수하고 인덕터·커패시터 등의 수동 부품 크기를 줄여 전원공급장치(PSU) 소형화와 저발열, AI 연산 환경에서의 빠른 대응을 가능하게 한다고 업계는 분석했습니다. 이번 발표는 인텔의 시스템 파운드리 전환 전략의 일환으로 GaN, 광학 상호 연결, 첨단 냉각 기술 통합을 노리지만 상용화 단계에서의 수율 확보와 비용 절감이 과제로 남아 있으며 TSMC와 삼성전자 등과의 패키징 경쟁에서 실제 양산·가격 경쟁력 확보와 엔비디아·구글 같은 대형 고객사 수주가 관건이라고 지적됐습니다.