인텔, 19마이크로미터 초박형 GaN'으로 AI 전력 병목 뚫는다…삼성·TSMC에 패키징에 도전

AI 요약

인텔은 두께 19마이크로미터(㎛)의 초박형 질화갈륨(GaN) 전력 칩렛(GaN‑on‑Silicon) 기술을 공개해 GaN 소자와 실리콘 CMOS 회로를 단일 칩에 집적하고 차세대 3D 패키징에서 부하 지점(Point-of-load) 전달로 송전 과정의 전력 손실을 최소화할 수 있게 했습니다. 이 기술은 수동 부품 소형화로 전원공급장치(PSU)의 소형화·저발열과 AI 데이터센터의 전력 손실 절감에 기여할 수 있지만 상용화에서는 수율 확보와 비용 절감이 과제로 남아 있으며 TSMC와 삼성전자의 첨단 패키징 경쟁도 존재합니다. 인텔은 이를 통해 시스템 파운드리로 입지를 강화하려 하고 엔비디아나 구글 같은 대형 고객사의 물량 확보가 기술력과 실적 개선의 중요한 지표가 될 전망입니다.