“HBM 공급 절벽 2026년 이후도 지속… AI 반도체 ‘3중 병목’ 현실화”

AI 요약

미국 메모리 기업 마이크론은 HBM·DRAM·낸드 공급 부족이 2026년 이후에도 지속될 것으로 전망하고 HBM4E부터 2027년 양산 예정인 차세대 제품에 TSMC의 3나노 파운드리 공정을 도입하는 전략적 전환을 선언했습니다. 이 같은 공급 병목은 ASML의 EUV 장비 조달 지연, TSMC의 CoWoS 패키징 캐파 부족, TSV·인터포저·ABF 등 소재·부품 수급 불균형 등 전·후공정과 소재에서 비롯되며, AI 서버의 1대당 전력 수요 급증으로 전력·인력·재정 병목도 심화돼 2035년에는 전 세계 데이터센터의 30%가 1GW 이상 전력을 소비할 것으로 전망됩니다. 이는 SK하이닉스와 삼성전자가 제품 가격 주도권을 유지할 기회를 주는 한편 단기적으로 AI 서버 출하량 제약으로 수출에 부담을 줄 수 있으나, 수소 연료전지와 고효율 전력 기기를 보유한 국내 부품·기계업체에는 중장기적 수출 전환 기회를 제공하며 SOFC 시장은 2025년 32억 달러에서 2030년 96억 달러로 연평균 24.4% 성장할 것으로 전망됩니다.