삼성전자, HBM4 양산 이어 HBM4E 샘플 세계 첫 출하(종합)

AI 요약

삼성전자가 5월 29일 세계 최초로 차세대 고대역폭 메모리 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 출하하기 시작했습니다. HBM4E는 검증된 1c D램과 4나노 파운드리 공정을 적용해 핀당 최대 16Gbps(전작 HBM4 대비 20% 이상 향상), 단일 스택 기준 초당 3.6TB 대역폭과 12단 48GB(전작 대비 용량 30% 이상 증가)를 구현했으며 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐습니다. 삼성전자는 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이며 올해 2월 HBM4를 세계 최초로 양산 출하한 데 이어 HBM4E 샘플 공급까지 선제적으로 진행했습니다.