[속보] 삼성전자, 세계 최초 차세대 AI 메모리 ‘HBM4E’ 샘플 출하

AI 요약

삼성전자가 29일 세계 최초로 차세대 HBM인 HBM4E 12단 샘플을 출하하며 지난 2월 HBM4 양산 후 3개월 만에 차세대 제품 공급을 본격화했다고 밝혔습니다. HBM4E는 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 적용해 핀당 동작 속도 최대 16Gbps로 HBM4 대비 20% 이상 향상되고 단일 스택 기준 초당 3.6TB 대역폭, 12단 기준 48GB 용량(기존보다 30% 이상 개선)을 지원하며 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다고 삼성전자는 설명했습니다. 한편 업계에서는 SK하이닉스도 HBM4E 출하 시점을 앞당길 가능성에 주목하고 있어 차세대 HBM 시장 경쟁이 한층 치열해질 전망입니다.